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科學家成功在氮化硼上生長出可貼附于任意材料的Fe3O4薄膜。
隨著半導體技術的突飛猛進，電子元件不斷趨向小型化、高速化發展，因為輕薄小巧的可穿戴元件以及可保有高性能且具有柔軟性的可撓式元件成為了最受矚目的電子科技產品。近年來，為了將與開關元件相關的機能性材料的特性應用于穿戴式元件或可撓性元件，對于可貼附元件的需求…
隨著半導體技術的突飛猛進，電子元件不斷趨向小型化、高速化發展，因為輕薄小巧的可穿戴元件以及可保有高性能且具有柔軟性的可撓式元件成為了最受矚目的電子科技產品。
近年來，為了將與開關元件相關的機能性材料的特性應用于穿戴式元件或可撓性元件，對于可貼附元件的需求不斷增加。另一方面，機能性氧化物Fe3O4具有電阻、磁化率等電/磁特性在-160℃左右發生顯著變化的特性，因此在開關元件方面的應用研究也持續推展中。
然而在制作Fe3O4薄膜時，通常是在氧化鎂等硬質基材上生長薄膜，除了可用于薄膜生長的基板種類有所限制之外，從基板上剝離薄膜并將其貼附到各種場所也很困難。不過科技在發展，目前相關技術已經有了新突破。
據外網報道，大阪大學產業科學研究所的研究人員已成功通過在薄片狀的六方氮化硼(hBN)上生長磁鐵礦(Fe3O4)薄膜的方式，制作出可貼附于任意材料上的Fe3O4薄膜。通過該工藝生長的Fe3O4薄膜不僅原子整齊排列，而且具有優異的相轉移特性，無論移動、貼附到什么地方，其相轉移特性也不會劣化。
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